西安交通大学研究人员制备出可让深紫外LED更高效、更小型的新材料-中国照明网

西安交通大学研究人员制备出可让深紫外LED更高效、更小型的新材料

2023-03-30

中国照明网报道

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导语：近日，西安交通大学电信学部电子学院李强副教授团队，在基于前期成功制备不同Al组分掺杂BAlN薄膜的基础上，制备了hBN/B1-xAlxN异质结，并对其电学特性进行了系统研究。

　　近日，西安交通大学电信学部电子学院李强副教授团队，在基于前期成功制备不同Al组分掺杂BAlN薄膜的基础上，制备了hBN/B1-xAlxN异质结，并对其电学特性进行了系统研究。

　　通过对B1-xAlxN中的铝组分进行调控，优选出h-BN/B0.89Al0.11N结构，研究表明该结构同时具有高晶格匹配度，低的形成能，优异的异质结整流特性。

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h-BN/B0.89Al0.11N异质结的电学能带匹配：理论预测与实验验证的type-II能带结构。

　　据了解，六方氮化硼(hBN)材料作为新兴类石墨烯超宽带隙半导体，具有无悬挂键的二维层状结构。该特性使得其在作为功能型衬底与其他材料构成异质结构中具有极大潜力，hBN异质结构的研究也拓展了hBN材料在深紫外光电领域的应用。

　　目前为止，发出深紫外线的装置主要使用了水银或氮化铝镓为材料的元件，但这些传统元件存在污染或者发光效率上的问题。因此有不少研究团队开始寻求其他方式解决这些问题，如美国密歇根大学和韩国浦项工科大学都在石墨烯hBN有所进展。

编辑：严志祥

来源：第三代半导体

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