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英国研究团队Micro LED领域最新研究成果

2020-02-04    

中国照明网报道

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导语: 英国谢菲尔德大学研究学者发表了其在Micro LED领域的最新研究成果,开创出新的绿光InGaN Micro LED制造方法,能够实现高亮度及高密度的Micro LED阵列。

  英国谢菲尔德大学研究学者发表了其在Micro LED领域的最新研究成果,开创出新的绿光InGaN Micro LED制造方法,能够实现高亮度及高密度的Micro LED阵列。

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图片来源:ACS Photonics

  当前的绿光InGaN Micro LEDs多是通过结合标准化的光刻技术以及相应的干蚀刻,破坏LED表面所制造而成。而在此最新制程中,InGaN则是直接长在已经设定好的微小化图案阵列中,以极薄的SiO2层作为晶圆片上的GaN模板。

  学者采用有机金属化学气相沉积法来制造生长于单一微型洞孔里的Micro LED。这些微型洞孔让每个Micro LED能够自然产生表面钝化,简化制造过程。所有阵列中的Micro LED都共享一个N极接触面,而所有的P极接触面则都是开放的,能分别连接或在大面积上连接。

  该研究团队制造出数以千计,尺寸只有3.6μm的Micro LED在0.1平方毫米的表面上,而单一3.6μm的Micro LED能够以超低的0.3μA电流点亮。使用这种Micro LED完成的640×480像素显示器,则只需要0.23W电源即可运作。

编辑:严志祥

来源:LEDinside

标签:英国  Micro  LED  研究成果  

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