11月18日，在慕尼黑SEMICON Europa大会上，法国CEA-Leti宣布启动一项为期三年的多边合作项目，聚焦Micro LED在超高速短距光学互连的应用。该项目将于2026年1月正式启动，拟向Micro LED供应商、光纤厂商、光电二极管厂商、芯片制造商、系统集成商以及超大规模云服务企业等开放。

图片来源：CEA-Leti

　　CEA-Leti首席执行官Sébastien Dauvé指出，随着AI模型训练算力需求每三到四个月翻倍，传统铜基和激光互连技术已难以满足高速度、低时延和低功耗要求。而Micro LED凭借尺寸小、开关调制速率高(数Gbps级别)和能效优势(比铜基低功耗、比现有光链路可靠性高100倍)，被视为解决互连瓶颈的突破方案。

　　在此背景下，CEA-Leti启动该项目。项目未来计划依托CEA-Leti在Micro LED工艺领域15年的积累和近100项专利，推动Micro LED从实验室迈向商业化量产，目标是实现大规模并行通信，显著降低下一代计算系统的功耗与密度限制。

编辑：严志祥